STGB8NC60KDT4 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
STGB8NC60KDT4
Encapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
STGB8NC60KDT4
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
STGB8NC60KDT4