STGB19NC60KT4 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
STGB19NC60KT4
Encapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
STGB19NC60KT4
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : STMicroelectronics
Pasadores :
Descripción :
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
STGB19NC60KT4