RD07MVS1-T112 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
RD07MVS1-T112
Encapsulados :
Fabricantes : MITSUBISHI
Pasadores :
Descripción :
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : MITSUBISHI
Pasadores :
Descripción :
Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W
Temperatura : Min °C | Max °C