RA55H4452M-101 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
RA55H4452M-101
Encapsulados :
Fabricantes : Mitsubishi Electric Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO
Temperatura : Min °C | Max °C
RA55H4452M-101