NTGD4169FT1G TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
NTGD4169FT1G
Encapsulados :
Fabricantes : Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
Temperatura : Min °C | Max °C