NTGD4167CT1G TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
NTGD4167CT1G
Encapsulados :
Fabricantes : Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual
Temperatura : Min °C | Max °C