NGB8207ANT4G TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
NGB8207ANT4G
Encapsulados :
Fabricantes : ON Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK
Temperatura : Min °C | Max °C
NGB8207ANT4G
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : ON Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
Ignition IGBT 20 A, 365 V, N−Channel D2PAK
Temperatura : Min °C | Max °C
NGB8207ANT4G