NDD04N60Z-1G TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
NDD04N60Z-1G
Encapsulados :
Fabricantes : ON Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
Temperatura : Min °C | Max °C
NDD04N60Z-1G
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : ON Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
Temperatura : Min °C | Max °C
NDD04N60Z-1G