MUBW4-12A6 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
MUBW4-12A6
Encapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
Temperatura : Min °C | Max °C
MUBW4-12A6
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
Temperatura : Min °C | Max °C
MUBW4-12A6