MBN200A6 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
MBN200A6
Encapsulados :
Fabricantes : HITACHI[Hitachi Semiconductor]
Pasadores :
Descripción :
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT FAST FREE-WHEELING DIODES
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : HITACHI[Hitachi Semiconductor]
Pasadores :
Descripción :
IGBT MODULE RANGE WITH SOFT FAST FREE-WHEELING DIODES
Temperatura : Min °C | Max °C