IXSR35N120BD1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXSR35N120BD1
Encapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
Temperatura : Min °C | Max °C