IXSN50N60U1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXSN50N60U1

Encapsulados :

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Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B

Temperatura : Min °C | Max °C

IXSN50N60U1