IXSN50N60BD3 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXSN50N60BD3
Encapsulados : SOT-227B
Fabricantes : IXYS
Pasadores :
Descripción :
600V high speed IGBT with HiPerFRED
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados : SOT-227B
Fabricantes : IXYS
Pasadores :
Descripción :
600V high speed IGBT with HiPerFRED
Temperatura : Min °C | Max °C