IXSN35N100U1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXSN35N100U1
Encapsulados :
Fabricantes : IXYS[IXYS Corporation]
Pasadores :
Descripción :
IGBT with Diode High Short Circuit Capability
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : IXYS[IXYS Corporation]
Pasadores :
Descripción :
IGBT with Diode High Short Circuit Capability
Temperatura : Min °C | Max °C