Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IXGX50N60BD1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXGX50N60BD1

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR

Temperatura : Min °C | Max °C

IXGX50N60BD1