Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IXGT35N120B TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXGT35N120B

Encapsulados : TO-268

Fabricantes : IXYS

Pasadores :

Descripción :
1200V HiPerFAST IGBT

Temperatura : Min °C | Max °C

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