Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IXGQ25N90Y4 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXGQ25N90Y4

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 900V V(BR)CES | 25A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IXGQ25N90Y4