IXGQ200N100Y3 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXGQ200N100Y3

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Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 200A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IXGQ200N100Y3