IXGN80N30BD1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXGN80N30BD1
Encapsulados :
Fabricantes : IXYS Corporation
Pasadores :
Descripción :
IGBT with Diode(VCES??00V??CE(sat)??.4V???????????????????????
Temperatura : Min °C | Max °C
IXGN80N30BD1