IXGH40N30BD1S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IXGH40N30BD1S

Encapsulados :

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Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD

Temperatura : Min °C | Max °C

IXGH40N30BD1S