IXGH15N120BD1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXGH15N120BD1
Encapsulados :
Fabricantes : IXYS Corporation
Pasadores :
Descripción :
VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : IXYS Corporation
Pasadores :
Descripción :
VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
Temperatura : Min °C | Max °C