IXFH6N100Q TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IXFH6N100Q
Encapsulados :
Fabricantes : IXYS Corporation
Pasadores :
Descripción :
N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(?????????????000V,???????.9???????????iPerFET???MOSFET)
Temperatura : Min °C | Max °C
IXFH6N100Q