IRHNA63260 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRHNA63260
Encapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2)
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