IRHG63110 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRHG63110
Encapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Temperatura : Min °C | Max °C