IRGTIN075M06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRGTIN075M06
Encapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 110A I(C)
Temperatura : Min °C | Max °C
IRGTIN075M06
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 110A I(C)
Temperatura : Min °C | Max °C
IRGTIN075M06