Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRGTI200F06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRGTI200F06

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IRGTI200F06