Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRGTI115U06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRGTI115U06

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 130A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IRGTI115U06