Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRGRDN200M12 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRGRDN200M12

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IRGRDN200M12