Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRGDDN600M06 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRGDDN600M06

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C)

Temperatura : Min °C | Max °C

IRGDDN600M06