Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRG4BC30US TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRG4BC30US

Encapsulados :

Fabricantes : IRF[International Rectifier]

Pasadores :

Descripción :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

Temperatura : Min °C | Max °C

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