Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

IRG4BC10S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IRG4BC10S

Encapsulados :

Fabricantes : International Rectifier

Pasadores :

Descripción :
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

Temperatura : Min °C | Max °C

IRG4BC10S PDF