IRFNG50 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFNG50
Encapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A)
Temperatura : Min °C | Max °C