IRFG5210 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFG5210
Encapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes :
Pasadores :
Descripción :
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
Temperatura : Min °C | Max °C