IRFB9N60 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFB9N60
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.75ohm, Id=9.2A)
Temperatura : Min °C | Max °C