IRFB59N10 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFB59N10
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
Temperatura : Min °C | Max °C