IRFB11N50A TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFB11N50A
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
Temperatura : Min °C | Max °C