IRFB11N50 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRFB11N50
Encapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=500V Rds(on)max=0.52ohm Id=11A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : IRF[International Rectifier]
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=500V Rds(on)max=0.52ohm Id=11A)
Temperatura : Min °C | Max °C