IRF7831PBF TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRF7831PBF
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on)max 3.6m?@VGS Qg(typ.) 40nC
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on)max 3.6m?@VGS Qg(typ.) 40nC
Temperatura : Min °C | Max °C