IRF5N5210 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRF5N5210
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-31A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-31A)
Temperatura : Min °C | Max °C