IRF510S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
IRF510S
Encapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : International Rectifier
Pasadores :
Descripción :
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Temperatura : Min °C | Max °C