IGT6E10 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

IGT6E10

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-204

Temperatura : Min °C | Max °C

IGT6E10