HGTP3N60C3D_07 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTP3N60C3D07
Encapsulados :
Fabricantes : Harris Corporation
Pasadores :
Descripción :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Harris Corporation
Pasadores :
Descripción :
600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C