HGTP1N120CN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTP1N120CN
Encapsulados :
Fabricantes : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pasadores :
Descripción :
6.2A, 1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pasadores :
Descripción :
6.2A, 1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C