HGTP1N120BN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTP1N120BN
Encapsulados :
Fabricantes : FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Pasadores :
Descripción :
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Pasadores :
Descripción :
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C