HGTG18N120BN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTG18N120BN
Encapsulados :
Fabricantes : Fairchild Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Fairchild Semiconductor
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C