HGTG12N60D1 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTG12N60D1
Encapsulados :
Fabricantes : Intersil Corporation
Pasadores :
Descripción :
600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : Intersil Corporation
Pasadores :
Descripción :
600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
Temperatura : Min °C | Max °C