Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

HGTG12N60A4S TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGTG12N60A4S

Encapsulados :

Fabricantes :

Pasadores :

Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-247AA

Temperatura : Min °C | Max °C

HGTG12N60A4S