Transistor de efecto campo Web

Los Transistor de efecto campos

HGTG11N120CND TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGTG11N120CND

Encapsulados :

Fabricantes : Fairchild Semiconductor

Pasadores :

Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Temperatura : Min °C | Max °C

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