HGTD7N60A4S9A TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET

HGTD7N60A4S9A

Encapsulados :

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Descripción :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 34A I(C) | TO-252AA

Temperatura : Min °C | Max °C

HGTD7N60A4S9A