HGTD2N120BNS TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO TECHNICAL DATA SHEET
HGTD2N120BNS
Encapsulados :
Fabricantes : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C
Transistor de efecto campo Web
Los Transistor de efecto camposEncapsulados :
Fabricantes : INTERSIL[Intersil Corporation]
Pasadores :
Descripción :
1200V, Series N-Channel IGBT
Temperatura : Min °C | Max °C